Estudio de la deposición de sicilio por transporte químico en fase de vapor (ctv) a partir de aleaciones cobre-silicio

  1. TEJEDOR JORGE, PALOMA
Dirigida por:
  1. Enrique Dominguez Ferrari Director/a

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Año de defensa: 1986

Tribunal:
  1. Miguel Ángel Alario Franco Presidente
  2. Carlos Picó Marín Secretario
  3. Felipe Jiménez Asenjo Vocal
  4. Antonio Luque López Vocal
  5. A. González Ureña Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 12710 DIALNET

Resumen

Este trabajo estudia el transporte químico en fase de vapor de silicio con HC1 mediante la técnica Van Arkel- de Boer a partir de aleaciones : si como nueva vía de purificación de silicio metalúrgico. El silicio transportado es policristalino de tipo n y resistividad 0.1-1.0 Ohm. Cm. Dicho material tiene una pureza del 99 9999%. La purificación conseguida es el resultado de cuatro mecanismos diferentes; la eliminación de impurezas en forma de óxidos y silicatos en la escoria de fundición la selectividad química inherente al transporte en (fase de vapor) la retención de impurezas en la fase y la condensación de impurezas en forma de cloruros en las zonas frías del reactor. La velocidad de transporte esta controlada por la cinética de las reacciones químicas superficiales que conducen a la formación de silicio por reducción de la especie .