Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente

    Inventores/as:
  1. JAVIER OLEA ARIZA
  2. GERMÁN GONZÁLEZ DÍAZ
  3. IGNACIO MARTIL DE LA PLAZA
  4. DAVID PASTOR PASTOR
  5. ERIC GARCÍA HEMME
  6. RODRIGO GARCÍA HERNANSANZ
  7. ÁLVARO DEL PRADO MILLÁN
  8. FERNÁNDEZ SÁEZ, Pablo
  9. CIMAS CUEVAS, Rosa
  10. MARTÍ VEGA, Antonio
  11. LUQUE LÓPEZ, Antonio
  1. Universidad Complutense de Madrid
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    Universidad Complutense de Madrid

    Madrid, España

  2. Universidad Politécnica de Madrid
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    Universidad Politécnica de Madrid

    Madrid, España

Nacional
Publicación principal:

ES2546917A1 (29-09-2015)

Otras Publicaciones:

ES2546917B2 (08-02-2016)

Solicitudes:

P201400241 (27-03-2014)

Imagen de la patente

Resumen

Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente. La presente invención se refiere a un dispositivo con tres capas: dos semiconductores, (1) y (2), y una capa intermedia (3) aislante que están basadas en silicio cristalino. La implantación de impurezas con una concentración que supera la solubilidad sólida de dicha impureza en silicio confiere al dispositivo la capacidad de detectar radiación infrarroja a temperatura ambiente. La invención también se refiere al método para fabricar el dispositivo de la invención, que incluye técnicas de fabricación fuera del equilibrio termodinámico.

INVENES: P201400241