Procesos fundamentales asociados al Ried en Alfa-Al203
- Moroño Guadalajara, Alejandro
- Eric Richard Hodgson Hampson Director
Defence university: Universidad Complutense de Madrid
Year of defence: 1996
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Chair
- José Llopis Pla Secretary
- Ramiro Pareja Pareja Committee member
- Fernando Agulló López Committee member
- Carmen Nieves Afonso Rodríguez Committee member
Type: Thesis
Abstract
En este trabajo se han estudiado los procesos fundamentales asociados a lo que se ha dado en llamar degradación eléctrica inducida por radiación o Ried (radiation induced electrical degradation), fenómeno descubierto por el Dr. Hodgson en el año 1989. Para ello se han irradiado muestras de zafiro de alta pureza con electrones de 1.8 mev en un acelerador Van de Graaff y se han realizado medidas de absorción óptica y radioluminiscencia en la línea del acelerador. A través de dichas medidas se ha observado que al irradiar zafiro con un campo eléctrico aplicado de 200 kv/m y a una temperatura por encima de 150c se producen centros f+ en lugar de centros f. También se ha observado experimentalmente que estos centros f+ se agregan durante irradiación dando lugar a centros f2 y coloides de aluminio, siendo esta la primera vez que dichos coloides han sido observados. Finalmente se ha desarrollado un modelo capaz de explicar el efecto del campo eléctrico en las vacantes de oxígeno.