Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-Vaplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si
- Mazuelas Esteban, Angel
- Luisa González Sotos Doktorvater/Doktormutter
Universität der Verteidigung: Universidad Complutense de Madrid
Jahr der Verteidigung: 1993
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Präsident
- Jacobo Santamaría Sánchez-Barrriga Sekretär
- Carmen Ballesteros Pérez Vocal
- Rafael García Roja Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.