Fenómenos de transporte en bismutoInfluencia de los Portadores bombeados a una banda metaestable
- González de Sande, Juan Carlos
- José Manuel Guerra Pérez Director
Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid
Año de defensa: 1994
- Juan Manuel Rojo Alaminos Presidente
- José Luis Vicent López Secretario
- Federico García Moliner Vocal
- Eusebio Bernabeu Martínez Vocal
- Carmen Nieves Afonso Rodríguez Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
En estos trabajos se ha medido el efecto nernst-ettingshausen en muestras policristalinas de bismuto y a partir de su estudio se han determinado los tiempos de relajación de los distintos portadores, sus masas efectivas y sus potenciales químicos. También se ha estudiado la evolución temporal del efecto termoeléctrico transverso en láminas gruesas de bismuto al ser irradiadas con pulsos láser de dos longitudes de onda distinta: una capaz de bombear portadores a una posible banda metaestable y otra no. Los resultados de este experimento corroboran la existencia de una banda metaestable en bismuto. Se ha desarrollado una técnica para la medida de señales fotoinducidas débiles y de corta duración. Utilizando esta técnica se ha detectado por primera vez un efecto fotoconductivo en bismuto. Además se ha encontrado un efecto de superficie debido al calentamiento no uniforme que produce el pulso láser.