Efectos de una cinética bidemensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares

Laburpena

La utilización de una cinética de crecimiento bidimensional en la epitaxia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de gas impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2 x 10(19) cm-3. Este límite es debido a la existencia del centro dx, que ancla el nivel de ferni. Una caracterización óptica y eléctrica de este tipo de capas muestra la existencia de defectos de alta impurificación (vacantes de galio-silicio donador, vacante de arsenico-silicio aceptor) sin embargo, la densidad de los mismos no supera 2 x 10(18) cm-3, es decir, menor de un 10% de la densidad de electrones. La aplicación de esta cinética a la obtención de capas con fuerte desajuste de red y de condiciones de crecimiento muy diferentes (inas y alas) ha sido estudiada, observándose una asimetría en el crecimiento de un semiconductor sobre el otro y viceversa. Posteriormente se han obtenido superredes con estos dos materiales.