Caracterización "in situ" de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-V
- González Sagardoy, María Ujué
- María Yolanda González Díez Director/a
- Luisa González Sotos Director/a
Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid
Fecha de defensa: 11 de noviembre de 2002
- Juan Manuel Rojo Alaminos Presidente
- José Luis Vicent López Secretario
- Enrique Calleja Pardo Vocal
- Gil Jose Antonio Sánchez Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
En este trabajo de tesis doctoral se ha abordado el estudio in situ de dos aspectos fundamentales en el crecimiento de sistemas heteroepitaxiales con diferencia de parámetros de red: los procesos de relajación y la evolución de la morfología. Para llevar a cabo el seguimiento de la morfología hemos utilizado la técnica de dispersión de luz, mientras que la evolución de la relajación ha sido determinada mediante la monitorización óptica, a través de la deflexión de un haz láser, de la curvatura inducida en el substrato por la tensión a que se ve sometida la capa. Puesto que los mecanismos que intervienen en la relajación de los sistemas y en la evolución de la morfología dependen de que la diferencia de parámetros de red entre los constituyentes del sistema heteropitaxial sea grnede (***) o pequeña (***), hemos analizado ambos tipos de sistemas. En concreto, hemos estudiado el sistema In0,2Ga0,8As/GaAs (001) (*** ), que se caracteriza porque la relajación se produce mediante la formación de una red ordenada de dislocaciones de desacople en la intercara y por el desarrollo en la intercara y por el desarrollo en la superficie de una morfología de surcos entrecruzados, y el sistema InAs/InP (001) (***), donde la relajación se produce de manera elástica a través de la formación de hilos cuánticos