El amplificador operacional bajo radiación de neutrones rápidos y consecuencias en otros dispositivos

Abstract

La memoria de esta tesis afronta el problema de la degradación de los amplificadores operacionales construidos en tecnología bipolar cuando son irradiados con neutrones rápidos.Este tipo de radiación produce daño por desplazamiento en la red cirstalina del semiconductor, hecho que conduce a la degradación de los componentes internos.Al estar relacionados con éstos , se prevé una modificación de los parámetros eléctricos externos de los amplificadores operacionales. Este hecho ha sido comprobado de forma experimental en amplicadores operacionales comerciales en una fuente de neutrones especialmente dedicada.Para ello, se diseño un sistema automático de caracterización,que fue optimizado para realizar un seguimiento exhaustivo de los parámetros durante el proceso de irradiación. Asimismo, se decidió extrapolar los rasultados obtenidos en los amplificadores opreacionales a aquellos dispositivos en los que se hubiese integrado algún amplificador de este tipo.Estos componentes fueron los amplificadores de instrumentación,integrados generalmente por tres amplificadores operacionales; referencias de tensiónk, enlos que el amplirficador desempeña un papel importante para mejorar las caracteristicas de salida; finalmente, se estudaron los conversores D/A, en los que existe tanto un amplificadro operacional encargado de convertir corriente en tensión como una referencia interna de tensión.En general, los resultados teóricos y experimentales concuerdan perfectamente.Esta memoria viene avalada por publicaciones nacionales e internacionales.