Fabrication of etching mask and electronic nanodevices by oxidation scanning probe lithography

Resumen

El desarrollo de la nanociencia y la nanotecnología va en paralelo al desarrollo de nuevos métodos de litografía alternativos a la óptica, capaces de fabricar nanodispositivos y nanoestructuras con alta resolución y reproducibilidad. Actualmente, la nanolitografía de microscopía de fuerzas (Scanning Probe Lithography, SPL) es una de las técnicas de litografía alternativas más interesantes puesto que permite fabricar una gran variedad de nanodispositivos sobre prácticamente cualquier tipo de material: metales, semiconductores, polímeros, monocapas autoensambladas y muestras biológicas. Algunas de las principales ventajas de la técnica son un gran control de posicionamiento en áreas muy localizadas, la capacidad de fabricar nanoestructuras con cualquier geometría deseada, la realización de los experimentos bajo condiciones ambiente y el relativo bajo coste asociado al montaje experimental. Durante el desarrollo de esta tesis, la nanolitografía de microscopía de fuerzas combinada con el proceso de ataque por iones reactivos (RIE) ha sido aplicada para fabricar transistores de efecto campo basados en nanohilos de silicio. Las curvas características y los principales parámetros de transistor de estos dispositivos, movilidad, tensión umbral y pendiente subumbral, han sido estimados. Estos transistores decorados con nanopartículas de oro han sido empleados como fotosensores. Otro prototipo de dispositivo nanoelectrónico fabricado por nanolitografía de microscopía de fuerzas en la presente tesis es un transistor de efecto campo basado en sulfuro de molibdeno.