Preparación mediante depósito de flujo modulado y caracterización de láminas delgadas de sulfuros binarios y ternarios de indio y galio

  1. SANZ SAIZ, CARLOS
Dirigida por:
  1. María Teresa Gutiérrez García Director/a
  2. Cecilia Guillén Arqueros Director/a

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Fecha de defensa: 28 de octubre de 2008

Tribunal:
  1. Emilio Morán Miguélez Presidente
  2. José Antonio Campo Santillana Secretario
  3. José Herrero Rueda Vocal
  4. Fernando Briones Fernández-Pola Vocal
  5. María Isabel Jiménez Ferrer Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 109048 DIALNET

Resumen

Esta tesis trata sobre la preparación de láminas delgadas de la familia de compuestos semiconductores III-VI, concretamente láminas delgadas de Ga-S, In-S y (Ga,In)-S. Estas películas fueron obtenidas mediante una técnica denominada Depósito de Flujo Modulado (DFM), empleando para ello un prototipo pre-industrial. El trabajo se centró en el ajuste de los parámetros de depósito de dicho equipo para la obtención de láminas de espesor adecuado para las aplicaciones fotovoltaicas y opto-electrónicas (50 nm-200 nm) de las mencionadas composiciones, así como su caracterización química, estructural, morfológica y óptica y el estudio del efecto de la relación atómica Ga/In en las propiedades de dichas láminas.