Efectos de transporte en materiales ferromagnéticos amorfos

  1. FLORES GOMEZ, JOSE
Dirigée par:
  1. José Luis Vicent López Directeur

Université de défendre: Universidad Complutense de Madrid

Année de défendre: 1987

Jury:
  1. Salvador Velayos Hermida President
  2. Francisco Javier Piqueras de Noriega Secrétaire
  3. Antonio Hernando Grande Rapporteur
  4. Fernando Briones Fernández-Pola Rapporteur
  5. Félix Yndurain Rapporteur
Département:
  1. Física de Materiales

Type: Thèses

Teseo: 15017 DIALNET

Résumé

El objeto fundamental del presente trabajo de tesis doctoral ha sido el estudio de las propiedades de transporte eléctrico en materiales amorfos ferromagnéticos. En concreto se han medido resistividad efecto hall y magneto-resistencia de distintas composiciones amorfas de fe b si. En cuanto a aportaciones originales se ha de destacar en primer lugar el diseño y desarrollo de un equipo completo adecuado para realizar estas medidas con control por microprocesador. Este sistema incluye un equipo para producción de campos magnéticos intenso (2 teslas) basado en descargas de 1000 a reguladas electrónicamente siendo la fuente de energía un conjunto de baterías. También incluye la instalación un equipo para medida de magneto-resistencia con eliminación del fondo compensación de derivas y posibilidad de medidas en fase. Las medidas obtenidas aportan nuevos datos en diversos aspectos: - diversas correlaciones de la resistividad en función de la temperatura reveladoras de distintos mecanismos de interacción que condicionan la conducción eléctrica: contribución estructural contribución magnética etc. Asimismo se encontraron mínimos a bajas temperaturas con dependencia de la lnt. - variación de la imanación de saturación con la temperatura obtenida a partir de las graficas de efecto hall y comprobación de la ley de Bloch. -magnetoresistencia y anisotropía de la resistividad que estudiadas en función de la temperatura y para distintos ángulos imanación-corriente eléctrica confirman la dependencia de la anisotropía de la resistividad con m2 y aclaran la dependencia del momento magnético medio.