Epitaxia por haces moleculares (mbe) de heteroestructuras semiconductoras con fuerte desajuste de parámetros de red

Abstract

El trabajo recoge los resultados experimentales obtenidos en un estudio de crecimiento por epitaxia de haces moleculares y su aplicación a la obtención de heteroestructuras de semiconductores compuestos iii-v con distinto parámetro de red. El método de obtención empleado es una modificación del proceso convencional de mbe que consiste en modular (interrumpir, alternar o pulsar) los haces que inciden sobre el sustrato, en sincronismo con la secuencia de crecimiento capa por capa del compuesto. Se presentan resultados obtenidos en la aplicación del mismo a sistemas heteroepitaxicos fuertemente desacoplados (inas sobre gaas), superredes sometidas a tensión (inas-alas) y heteroestructuras de compuestos con diversos elementos del grupo v (iii-va-iii-v) como ejemplo de aplicación. Este ultimo caso presenta gran interes por la dificultad que presentan tales compuestos para alcanzar un control preciso de la composición cuando se intentan obtener por mbe convencional. Los resultados obtenidos, resumidos en la memoria, demuestran la validez de la técnica, y sus posibilidades de aplicación en tecnología de semiconductores iii-v para obtener heteroestructuras y superredes contando con un amplio margen para la elección de los materiales componentes.