Estudio de la deposición de sicilio por transporte químico en fase de vapor (ctv) a partir de aleaciones cobre-silicio

Abstract

Este trabajo estudia el transporte químico en fase de vapor de silicio con HC1 mediante la técnica Van Arkel- de Boer a partir de aleaciones : si como nueva vía de purificación de silicio metalúrgico. El silicio transportado es policristalino de tipo n y resistividad 0.1-1.0 Ohm. Cm. Dicho material tiene una pureza del 99 9999%. La purificación conseguida es el resultado de cuatro mecanismos diferentes; la eliminación de impurezas en forma de óxidos y silicatos en la escoria de fundición la selectividad química inherente al transporte en (fase de vapor) la retención de impurezas en la fase y la condensación de impurezas en forma de cloruros en las zonas frías del reactor. La velocidad de transporte esta controlada por la cinética de las reacciones químicas superficiales que conducen a la formación de silicio por reducción de la especie .