Agregación de impurezas bajo irradiación en MgO
- CLEMENT LORENZO, SUSANA
- Eric Richard Hodgson Hampson Directeur/trice
Université de défendre: Universidad Complutense de Madrid
Année de défendre: 1986
- Francisco Javier Piqueras de Noriega President
- José Llopis Pla Secrétaire
- Nieves de Diego Otero Rapporteur
- Francisco Jaque Rechea Rapporteur
- Fernando Cussó Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
En este trabajo se ha estudiado un proceso de agregación de impurezas Fe y Ni en monocristales de MgO sometidos a radiación de electrones de 1.8 MeV a temperaturas entre 600 y 800 grados C. Que da lugar a precipitados metálicos. La formación de precipitados ocurre a temperaturas inferiores a las que se observa normalmente este efecto en ausencia de radiación y depende fuertemente tanto del numero de desplazamientos atómicos como de la tasa de exposición a radiación ionizante a la que esta sometida la muestra.