Contribución al estudio de la modelización física y realización de los diodos semiconductores

Laburpena

Se realiza un amplio estudio de los procesos tecnológicos utilizados en la elaboración de dispositivos semiconductores recalcando el proceso de la difusión y a continuación se pasa a la elaboración propia de los diodos semiconductores. Seguidamente se obtienen las características I-V de estos diodos y de una amplia gama de diodos comerciales. Vemos que estas características se explican satisfactoriamente con los modelos actuales cuando se realizan a temperatura ambiente pero no cuando se varia la temperatura. Teniendo en cuenta la posible existencia de electrones calientes debido a los campos internos se realiza una nueva modelización de la corriente de un diodo que explica satisfactoriamente las características I-V tanto a temperatura ambiente como cuando varia la temperatura.