Fenómenos de oxidación y crecimiento en las superficies al(iii) y si(iii)

Laburpena

En el presente trabajo se han estudiado: 1) interacción de O2 con las superficies Si(III) 7x7 y Al(III). 2) oxidación de si activado por bombardeo electrónico. 3) crecimiento epitáxico Al(III)/mica(001) y Si/Al(III). 4) análisis comparativo de las transiciones de óxidos de al y si. Las técnicas empleadas son aes y leed. 1)en el caso del Si(III) 7x7 se obtienen los estados electrónicos característicos de una estructura de vacantes 25%. Se identifica como fase molecular el O2 absorbido. En la superficie de Al(III) se descarta el modelo de simple incorporación de O2 y se da como probable un estado mixto de absorción y absorción-incorporación. 2) se determina la cinética de oxidación de si activada por bombardeo electrónico y el voltaje cinético asociado comparándose con la teoría de molt-cabrera con resultados satisfactorios. 3) se determinan las condiciones de epitexia de Al(III)/mica y se estudia el crecimiento ordenado Si/Al(III) (3x3) así como la aleación ordenada Si-Al(III) 50% formada por crecimiento a 200 grados centígrados. 4) se determina la influencia del carácter iónico de los óxidos en las densidades de transición Auger.