Realización y caracterización de dispositivos de unión y de efecto de campo en in0.53ga0.47as

Resumen

Este trabajo de Tesis Doctoral tiene como objetivo la realización y caracterización de determinadas estructuras semiconductoras basadas en la aleación ternaria In0.53Ga0.47As., con la finalidad de aplicarlas satisfactoriamente en el desarrollo de futuros transistores de unión y efecto de campo (JFET y MISFET) en dicho material. En esta dirección, se ha obtenido un preciso y adecuado control del proceso de implantación de impurezas donoras, y de su posterior activación eléctrica, haciéndose especial hincapié en el fenómeno particular de las activaciones eléctricas mayores del 100%. Estas capas implantadas han sido aplicadas satisfactoriamente en el desarrollo de uniones PN, en IN0.53Ga0.47As., que han demostrado presentar un adecuado poder rectificante, y de las cuales se ha realizado un riguroso estudio sobre los mecanismos responsables de su conducción. Por otro lado, se han desarrollado y caracterizado estructuras metal-aislante-semiconductor (A1/SiNx:H/In0.53Ga0.47As) con excelentes propiedad eléctricas, comparables a las obtenidas por otros procedimientos de depósito comparativamente mucho más complejos y costosos. Del estudio realizado en este trabajo se deduce la aplicabilidad de estas estructuras a dispositivos MISFET en In0.53Ga0.47As.