La radiación en los dispositivos de semiconductoresgeneración y atrapamiento de portadores

  1. BRU ESPINO, ANTONIO
Zuzendaria:
  1. Miguel Angel Rodríguez Díaz Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Complutense de Madrid

Defentsa urtea: 1995

Epaimahaia:
  1. Carlos Sánchez del Río Presidentea
  2. Fernando Arqueros Martínez Idazkaria
  3. Luis Pesquera González Kidea
  4. Germán González Díaz Kidea
  5. Francesc Sagués Mestre Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 47604 DIALNET

Laburpena

EN ESTE TRABAJO SE ESTUDIAN LOS EFECTOS QUE PRODUCE UNA RADIACION IONIZANTE AL INCIDIR SOBRE UN DISPOSITIVO MOS (METAL-OXIDO- SEMICONDUCTOR). DICHO ESTUDIO SE SEPARA EN DOS PARTES: LA GENERACION Y RECOMBINACION INICIAL DE LOS PARES ELECTRON -HUECO Y EL PROCESO DE TRANSPORTE Y ATRAPAMIENTO DE LOS HUECOS QUE ESCAPAN A LA RECOMBINACION INICIAL. EL TRANSPORTE DE LOS ELECTRONES NO SE ESTUDIA DEBIDO A QUE SON "BARRIDOS" INMEDIATAMENTE POR LA ACCION DEL CAMPO ELECTRICO EXISTENTE EN EL DISPOSITIVO. EN LA PRIMERA PARTE SE ESTUDIA LA INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA, CAMPO ELECTRICO EXTERNO APLICADO Y CAMPO ELECTRICO CREADO POR LAS DISTRIBUCIONES DE PORTADORES. SE ESTUDIAN TAMBIEN EFECTOS DE SEGREGACION DE PORTADORES. PARA ESTUDIAR EL TRANSPORTE ESTOCASTICO DE LOS HUECOS DESDE SUS LUGARES DE GENERACION HASTA LA INTERFASE SI-SIO2. SE PRESENTA EL DESARROLLO DE UN TRATAMIENTO ANALITICO, CUYOS RESULTADOS SE COMPARAN CON SIMULACIONES DE MONTECARLO. SE CONSIDERA EL ATRAPAMIENTO DE LOS HUECOS POR TRAMPAS.