Crecimiento de sio2 sobre semiconductores iii-v por reducción de óxidos nativos

Resumen

ESTA TESIS TRATA DEL ESTUDIO EXPERIMENTAL MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION, UTILIZANDO PREFERENTEMENTE RADIACION SINCROTRON, DE LA REACCION DE OXIDACION-REDUCCION SI + GAAS-OXIDADO SIO2 + GAAS DESDE EL PUNTO DE VISTA QUIMICO, ESTRUCTURAL Y ELECTRONICO. ALGUNOS RESULTADOS DE DICHO ESTUDIO SE EXPONEN A CONTINUACION. DESDE EL PUNTO DE VISTA QUIMICO SE ENCUENTRA QUE ES POSIBLE SUSTITUIR CAPAS DE OXIDOS DE GAAS POR SIO2, QUE FORMA CAPAS CONTINUAS Y ESTEQUIOMETRICAS, SE ESTUDIA EL MECANISMO DE AUTOLIMITACION DE LA REACCION, Y SE DEMUESTRA A PARTIR DE UN ANALISIS CUANTITATIVO DE LAS INTENSIDADES DE FOTOEMISION QUE LOS ATOMOS DE AS Y GA REDUCIDOS SE RECOMBINAN FORMANDO GAAS ESTEQUIMETRICO. LA MORFOLOGIA DE LA MUESTRA DURANTE LOS CAMBIOS QUIMICOS SE DESCRIBE EN BUENA APROXIMACION POR UNA ESTRUCTURA LAMINAR SI/SIO2/GAAS-OXIDOS/AS-ELEMENTAL/GAAS. DESDE EL PUNTO DE VISTA ELECTRONICO, SE DEMUESTRA QUE LOS ESTADOS INTERFACIALES EN LA INTERCARA SIO2/GAAS NO SON UNICAMENTE DEBIDOS A LA OXIDACION SUBCUTANEA DEL SUSTRATO, YA QUE EL METODO DESARROLLADO EN ESTA TESIS PRODUCE INTERCARAS ABRUPTAS, EN LAS QUE, SIN EMBARGO, SIGUE HABIENDO ESTADOS INTERFACIALES. SE DEMUESTRA QUE DURANTE LA FORMACION DE LA INTERCARA SIO2/GAAS TIENE LUGAR UNA VARIACION IMPORTANTE DEL ALINEAMIENTO DE BANDAS, QUE PUEDE RELACIONARSE CON LA PRESENCIA DE AS-ELEMENTAL EN LA INTERCARA DURANTE EL PROCESO DE REDUCCION. CUANDO LA REACCION SE INTERRUMPE, EL SI DEPOSITADO NUCLEA EN LA SUPERFICIE EN FORMA DE ISLAS TRIDIMENSIONALES, QUE MUESTRAN EFECTOS DE CONFINAMIENTO CUANTICO IMPORTANTES, COMO SON UN AUMENTO DEL GAP AL DISMINUIR EL DIAMETRO DE LOS AGREGADOS Y UNA VARIACION DE LA PERMITIVIDAD ASOCIADA A DICHA VARIACION DEL GAP.