Dispositivos de heterounión basados en el semiconductor cuaternario cu (ga,in) se2

Abstract

El trabajo realizado ha consistido en el crecimiento y caracterización de compuestos de la familia de las calcopiritas. En concreto, se han sintetizado y caracterizado compuestos cuga1 x inxse2 (x=0.25,0.5 y 0.75) y cuin3se5. Se ha desarrollado un nuevo método de determinación de constantes ópticas de laminas delgadas de tales compuestos. Se ha estudiado exhaustivamente el proceso de crecimiento de laminas delgadas mediante la técnica de pulverización R.F., poniéndose de manifiesto el papel que juegan los binarios cu x se y (ga,in)2 se3 en tal proceso. Se han crecido, por primera vez, laminas delgadas de cuin3se5 mediante la técnica mencionada, identificándose la presencia de inse en algunos estadios del proceso de formación. Finalmente, se ha desarrollado una tecnología de fabricación de dispositivos de heterounion, del tipo co siin/cu s/cuga1-xinx se2, y se han caracterizado combinando medidas i-v, c-f y c-v realizadas en oscuridad e iluminación (las primeras), deduciéndose de ellas, los mecanismos de conducción de tales dispositivos, eficiencia fotovoltaica y parámetros relacionados con la estructura de la interfase.