Crecimiento y caracterización de binarios y heteroestructuras tensadas de semiconductores III-V y su aplicación a dispositivos optoelectrónicos
- HUERTAS GALLARDO, PEDRO
- Fernando Briones Fernández-Pola Director
Universidade de defensa: Universidad Complutense de Madrid
Ano de defensa: 1994
- Pedro Rojo Alaminos Presidente/a
- Francisco Javier Piqueras de Noriega Secretario
- Dolores Golmayo Fernandez Vogal
- Juan Manuel Rodríguez Rodríguez Vogal
- Jose Luis De Miguel Anton Vogal
Tipo: Tese
Resumo
El trabajo que comprende esta memoria se encuadra dentro de las tecnologías de los semiconductores III-V. Durante la misma se ha estudiado el crecimiento y caracterización de diferentes combinaciones de materiales III-V, para aplicarlos en dispositivos optoelectrónicos. Los sustratos utilizados han sido Si, Ga as e Inp. Hay que destacar el esfuerzo que se ha realizado en este último para conseguir epitaxias de alta calidad, a baja temperatura de sustrato 250 grados-340 grados centígrados (mediante la técnica de epitaxia por haces moleculares de capas atómicas; utilizando fuentes sólidas para todos los elementos. Estos trabajos nos han permitido conseguir emisores de luz entorno a 1.55 m que podrán ser utilizadas en un futuro en sensores integrados monolíticamente en sustratos si.