Estudio de la interacción de si con superficies de gaas (111)

Resumen

EN LA MEMORIA PRESENTADA BAJO EL TITULO MAS ARRIBA INDICADO SE RECOGEN LOS RESULTADOS DEL ESTUDIO DE LAS PRIMERAS FASES DE CRECIMIENTO DE LA INTERCARA FORMADA POR SI/GAAS (111). SI Y GAAS SON LOS DOS SEMICONDUCTORES DE MAYOR ATRACTIVO DESDE EL PUNTO DE VISTA TECNOLOGICO. EL INTERES DE ESTE TRABAJO RADICA EN SU CONTRIBUCION A UN MEJOR CONOCIMIENTO DE LA FORMACION DE HETEROUNIONES SEMICONDUCTORAS Y, CONCRETAMENTE, CON VISTAS A LA POSIBLE INTEGRACION DE LAS TECNOLOGIAS DE SI Y GAAS, COMBINANDO LAS MEJORES PROPIEDADES DE AMBOS MATERIALES. LAS TECNICAS USADAS EN EL DESARROLLO EXPERIMENTAL DE ESTE TRABAJO HAN SIDO TECNICAS DE ANALISIS SUPERFICIAL, CUYO USO QUEDA JUSTIFICADO PORQUE VARIACIONES QUE SE PRODUZCAN EN LA FORMACION DE LA INTERCARA PUEDEN INDUCIR CAMBIOS EN LAS PROPIEDADES DE LA HETEROUNION. UNA VEZ EFECTUADA LA CARACTERIZACION TANTO ESTRUCTURAL COMO EN COMPOSICION DE LAS SUPERFICIES DE GAAS SOBRE LAS QUE SE DEPOSITA EL SI, LOS EXPERIMENTOS LLEVADOS A CABO HAN CONSISTIDO EN LA EVAPORACIOND E SI SOBRE EL SUBSTRATO DE GAAS MANTENIDO A DISTINTAS TEMPERATURAS DURANTE EL TIEMPO DE CRECIMIENTO. EL ANALISIS DE LA EVOLUCION DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON LAS DISTINTAS TECNICAS PERMITE ESTABLECER LA FORMA DE CRECIMIENTO DEL SI SOBRE LAS SUPERFICIES DE GAAS, ADEMAS DE LAS DIFERENCIAS QUE SE INTRODUCEN POR EL HECHO DE CAMBIAR LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO (SUPERFICIE Y TEMPERATURA).