Estudio de la reactividad y enlace local de H2O y CH3OH con NB mediante la desorción estimulada por electrones

  1. REY MARTINEZ, SUSANA
Dirigida por:
  1. José Luis de Segovia Trigo Director/a

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Año de defensa: 1990

Tribunal:
  1. Antonio Hernando Grande Presidente
  2. Maria Eloisa Lopez Perez Secretaria
  3. Javier Soria Martinez Vocal
  4. Mateo Díaz Peña Vocal
  5. José Manuel Martínez Duart Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 25356 DIALNET

Resumen

En la presente memoria se describe el estudio de la reactividad h2o y ch3oh sobre la superficie de nb (poli) y nb (110), utilizando las técnicas de la desorción estimulada por electrones (esd), y la espectrometría de desorción termica (tds), junto con la espectroscopia de electrones auger (aes) para la caracterización de la superficie. Los resultados de la adsorción de h2o en nb han revelado que se disocia en especies h y oh, dando lugar a la formación de iones de superficie h+, mayoritariamente, y oh+. El dañado por bombardeo electrónico, en presencia de presión de h2o produce una fuerte oxidación de la superficie dando lugar a la formación de iones o+ por esd. Se ha propuesto un modelo "multiadsorbato" de adsorción de h2o en nb, en el que las especies adsorbidas h y oh se unen al mismo átomo metálico. Se propone la reacción de desproporcionación del oh como la responsable de la desorción térmica de h2o. La desorción de h2 se debe a la recombinación de especies h. Los experimentos de adsorción de ch3oh en nb (110), revelan que dicho gas se disocia en especies ch3o y h, adsorbiéndose también una parte como metanol molecular. El único ion de superficie obtenido es h+, cuyo origen esta en las especies ch3o. Las especies desorbidas por tratamiento térmico son ch4 mayoritariamente h2 y co. Se ha propuesto un mecanismo de reacción en el que un "intermedio" relacionado con el ch3o, es el responsable de la formación de las especies adsorbidas. El dañado por bombardeo electrónico también da lugar a la formación de especies o+.