Positrones en semiconductores III-VI, II-VI y cu2o

Laburpena

Los experimentos realizados tanto en cristales "as-grown" como irradiados con electrones, han permitido obtener los valores de la vida del positron en estado libre y en estado atrapado en los materiales semiconductores iii-vi, ii-vi y cu2o. En el caso del semiconductor laminar inse, las medidas a bajas temperaturas realizadas en material "as-grown" y en material irradiado han permitido identificar los defectos intrinsecos de caracter donante responsables de las propiedades de transporte y los defectos responsables del atrapamiento del positron. El recogido de los defectos inducidos por la irradiacion con electrones se ha estudiado en algunos de los materiales investigados. Los experimentos han permitido identificar y determinar las caracteristicas de recogido de los defectos de tipo aceptor inducidos por la irradiacion. En el caso del cu2o, la naturaleza de los defectos responsables del atrapamiento del positron se ha determinado en conjuncion con medidas de fotoluminiscencia y absorcion. Por ultimo, los resultados obtenidos se han contrastado con las correlaciones perdichas por los modelos del positron en semiconductores y en aislantes.