Cinética de transformaciones estructurales inducidas en semiconductores por irradiación con láserestudios ópticos con resolución temporal de nanosegundos

Resum

LA TESIS REALIZA UN ESTUDIO POR METODOS OPTICOS DE LOS DIFERENTES TIPOS DE TRANSFORMACIONES QUE PUEDEN INDUCIRSE POR IRRADIACION CON HACIES LASER PULSADOS EN EL RANGO DE NANOSEGUNDOS Y MICROSEGUNDOS PROCESOS DE CALENTAMIENTO, FUSION-SOLIDIFICACION RAPIDA, FORMACION DE FASES METASTABLES O RELAJACION ESTRUCTURAL SON ANALIZADOS POR MEDIO DE MEDIDAS OPTICAS CON RESOLUCION TEMPORAL DE NANOSEGUNDOS, MEDIDAS OPTICAS ESTATICAS Y DIVERSAS TECNICAS MICROANALITICAS. LOS MATERIALES IRRADIADOS, ESCOGIDOS TANTO POR SU INTERES FISICO COMO TECNOLOGICO, HAN SIDO SEMICONDUCTORES CRISTALINOS Y AMORFOS (GE, SI), MASIVOS Y EN LAMINA DELGADA, ALEACIONES METAL SEMICONDUCTOR (GE AL) Y MATERIALES UTILES COMO ELEMENTOS ACTIVOS PARA REGISTRO OPTICO DE LA INFORMACION (JU SB GC). LA EVOLUCION DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MATERIAL PERMITE CARACTERIZAR LA NATURALEZA DE LAS TRANSFORMACIONES MICROESTRUCTURALES INDUCIDAS EN EL MATERIAL. FENOMENOS DE RELAJACION, ESTRUCTURAL, CRISTALIZACION VIA ESTADO SOLIDO Y LIQUIDO, O DE INDUCCION DE FASES METASTABLES, ASI COMO SU CINETICA Y LA INFLUENCIA DE DIFERENTES PARAMETROS TALES COMO LA DURACION Y POTENCIA DE PULSACION O LA NATURALEZA DEL SUSTRATO SON PUESTOS DE MANIFIESTO, ANALIZADOS POR MEDIO DE LA EVOLUCION DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MATERIAL.