Fotoprocesamiento ultravioleta de capas finas amorfas de oxido de silicio
- GARCIA PARADA, EDUARDO
- Betty Mireya León Fong Directeur/trice
Université de défendre: Universidade de Vigo
Année de défendre: 1996
- Mariano Pérez-Martínez Pérez-Amor President
- José María González Calbet Secrétaire
- Tamas Szorenyi Rapporteur
- Jean Flicstein Rapporteur
- Elías Muñoz Merino Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
Este trabajo esta dedicado al estudio y desarrollo de procesos de baja temperatura inducidos mediante fotones ultravioleta para el deposito y para tratamientos post-deposito de capas finas amorfas de oxidos de silicio sobre semiconductores.Se presenta un estudio exhaustivo de las capas depositadas y tratadas. El alto control del proceso de deposito quimico fotoinducido a partir de fase vapor (foto-uv-cvd) permite el analisis de aspectos concretos como las formas de incorporacion de impurezas a las capas (especialmente hidrogeno), los cambios estructurales que se producen o un detallado analisis del proceso de envejecimiento de las capas. Por otro lado, se presenta el proceso de reconocido uv con unha novedosa lampara excimera de descarga silenciosa que emite fotones a una longitud de onda 193 nm. Este proceso se muestra altamente efectivo a temperatura ambiente y sin producir daños en los dispositivos para inducir fotoliticamente procesos como la pasivacion, reoxidacion y relajacion de tension en las capas de oxido de silicio, con lo que se consigue una adecuacion a baja temperatura para su utilizacion en aplicaciones tecnologicas.