Synthesis and characterization of ZnO thin films and ZnOCo system

  1. Steplecaru, Cristiana Sonia
Dirigida por:
  1. María de la Soledad Martín González Director/a

Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 17 de julio de 2012

Tribunal:
  1. José Francisco Fernández Lozano Presidente/a
  2. José Gabriel Rodrigo Rodríguez Secretario/a
  3. Raquel González Arrabal Vocal
  4. Fernando Briones Fernández-Pola Vocal
  5. Germán González Díaz Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 337382 DIALNET

Resumen

Las actuales tecnologías de la información están basadas en la combinación de materiales semiconductores (con los que se construyen puertas lógicas que procesan la información) y materiales magnéticos (en los que se almacena la información). Ambas tecnologías han estado forzosamente separadas debido a la carencia de un material que aunase ambas propiedades (semiconductoras y ferromagnéticas) a temperatura ambiente. De existir un material así se podría levantar una nueva electrónica en la que contásemos con dos grados de control sobre el electrón, su carga eléctrica y su espín, lo que se conoce como espintrónica. Para ello, muchos grupos han investigado la síntesis y las propiedades magnéticas del ZnO. Pero uno de los principales obstáculos en el desarrollo de la microelectrónica basada en ZnO es que no es fácil obtener ZnO tipo p (la mayoría de los trabajos publicados en la literatura siendo realizado con ZnO tipo n, ). Por otro lado, hay muchas teorías para explicar el FM a RT en DMSs basados en ZnO, pero hay una gran falta de entendimiento del mecanismo que está detrás. La primera parte esta tesis está dedicada a la optimización de las películas de ZnO para lograr películas epitaxiales ZnO tipo p y tipo n. La segunda parte se centra en entender el comportamiento de las películas delgadas epitaxiales de ZnO tipo p sin dopaje extrínseco intencionado. Se estudian los defectos del maclado, y los defectos intrínsecos producidos por irradiación de iones sobre las propiedades eléctricas de películas de ZnO. Además, se lleva a cabo un estudio por fotoluminescencia (PL) para determinar qué tipos de defectos contribuyen a la conducción tipo p, y se hace un estudio del mecanismo de envejecimiento que sufre el ZnO tipo p. La ultima parte de la tesis está dedicada a estudiar el sistema Zn-O-Co como semiconductor magnético diluido. El estudio se realiza mediante tres enfoques diferentes. En el primer enfoque, se estudia la posibilidad de co-crecimiento utilizando blancos de ZnO/Co3O4. En el segundo, se investigan las multicapas ZnO/Co3O4. En esta sección, en primer lugar se realiza un estudio de las películas delgadas de Co3O4, incluyendo la optimización de las condiciones de crecimiento desde películas policristalinas a epitaxiales. Además, se realiza la caracterización estructural, eléctrica, óptica y magnética de las multicapas. En el tercer enfoque, se estudian películas delgadas de ZnO tipo p y n implantadas con Co, y se investigan sus propiedades estructurales, eléctricas, ópticas y magnéticas, contribuyendo a identificar el origen del ferromagnetismo observado en este sistema.