Gating charge recombination rates through dynamic bridges in tetrathiafulvalene-fullerene architectures

  1. Castellanos, S.
  2. Vieira, A.A.
  3. Illescas, B.M.
  4. Sacchetti, V.
  5. Schubert, C.
  6. Moreno, J.
  7. Guldi, D.M.
  8. Hecht, S.
  9. Martín, N.
Revista:
Angewandte Chemie - International Edition

ISSN: 1433-7851 1521-3773

Año de publicación: 2013

Volumen: 52

Número: 52

Páginas: 13985-13990

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/ANIE.201306183 GOOGLE SCHOLAR