Carrier recombination at screw dislocations in n-type AlGaN layers

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Revista:
Physica Status Solidi (B) Basic Research

ISSN: 0370-1972

Año de publicación: 1999

Volumen: 216

Número: 1

Páginas: 409-414

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<409::AID-PSSB409>3.0.CO;2-K GOOGLE SCHOLAR