Behaviour of metallic impurities at grain boundaries and dislocation clusters in multicrystalline silicon wafers deduced from contactless lifetime scan maps

  1. Hidalgo, P.
  2. Palais, O.
  3. Martinuzzi, S.
Revista:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 0953-8984

Año de publicación: 2004

Volumen: 16

Número: 2

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1088/0953-8984/16/2/003 GOOGLE SCHOLAR