Influence of oxygen incorporation on the defect structure of GaN microrods and nanowires. An XPS and CL study

  1. Guzmán, G.
  2. Herrera, M.
  3. Silva, R.
  4. Vásquez, G.C.
  5. Maestre, D.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Ano de publicación: 2016

Volume: 31

Número: 5

Tipo: Artigo

DOI: 10.1088/0268-1242/31/5/055006 GOOGLE SCHOLAR
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