EU activation in β-Ga2O3 MOVPE thin films by ion implantation

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Zeitschrift:
ECS Journal of Solid State Science and Technology

ISSN: 2162-8777,  2162-8769

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 8

Nummer: 7

Seiten: Q3097-Q3102

Art: Artikel

DOI: 10.1149/2.0191907JSS GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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