Enhanced red emission from praseodymium-doped GaN nanowires by defect engineering

  1. Lorenz, K.
  2. Nogales, E.
  3. Miranda, S.M.C.
  4. Franco, N.
  5. Méndez, B.
  6. Alves, E.
  7. Tourbot, G.
  8. Daudin, B.
Aldizkaria:
Acta Materialia

ISSN: 1359-6454

Argitalpen urtea: 2013

Alea: 61

Zenbakia: 9

Orrialdeak: 3278-3284

Mota: Artikulua

DOI: 10.1016/J.ACTAMAT.2013.02.016 GOOGLE SCHOLAR