Contribución al desarrollo de fotorreceptores de Ingaas y a la integración de estructuras metamórficas sobre sustratos de Gaas

Abstract

El desarrollo de las comunicaciones por fibra óptica con una longitud de onda de trabajo en torno al 1.55 nm hace necesaria la utilización de materiales como el inxga1-xas con x superior a 50%, que se obtiene por crecimientos epitaxiales sobre sustratos de INP. Sin embargo, la tecnología actual en semiconductores iii-v se encuentra mas desarrollada sobre sustratos de Gaas. La integración de los dispositivos ópticos activos: detectores, moduladores, emisores..., sobre sostratos de gaas supone un avance en cuanto a su utilización con etapas de amplificación y control desarrolladas en una tecnología mas consolidada como la de circuitos de microondas sobre gaas. Se han utilizado capas con una variación lineal del contenido de in (graduales) que satisfacen una relajación por multiplicación de dislocaciones. Por otro lado y como campo emergente en el desarrollo de aplicaciones y dispositivos optoelectronicos, se han estudiado estructuras de ingaas sobre sustratos de gaas con orientación (111)b.