Sub-bandgap external quantum efficiency in Ti implanted Si heterojunction with intrinsic thin layer cells

  1. Silvestre, S.
  2. Boronat, A.
  3. Colina, M.
  4. Castañer, L.
  5. Olea, J.
  6. Pastor, D.
  7. Del Prado, A.
  8. Mártil, I.
  9. González-Díaz, G.
  10. Luque, A.
  11. Antolín, E.
  12. Hernández, E.
  13. Ramiro, I.
  14. Artacho, I.
  15. López, E.
  16. Martí, A.
Zeitschrift:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-4922 1347-4065

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 52

Nummer: 12

Art: Artikel

DOI: 10.7567/JJAP.52.122302 GOOGLE SCHOLAR