Electrical properties of rapid thermally annealed SiNx:H/Si structures characterized by capacitance-voltage and surface photovoltage spectroscopy

  1. Martínez, F.L.
  2. Del Prado, A.
  3. Mártil, I.
  4. González-Díaz, G.
  5. Kliefoth, K.
  6. Füssel, W.
Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 16

Nummer: 7

Seiten: 534-542

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/16/7/302 GOOGLE SCHOLAR
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