Defect structure of SiNx:H films and its evolution with annealing temperature

  1. Martínez, F.L.
  2. Del Prado, A.
  3. Mártil, I.
  4. Bravo, D.
  5. López, F.J.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2000

Alea: 88

Zenbakia: 4

Orrialdeak: 2149-2151

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1305548 GOOGLE SCHOLAR

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus