Multiphononon resonant Raman scattering in He+-implanted InGaN

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Zeitschrift:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 29

Nummer: 4

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0268-1242/29/4/045013 GOOGLE SCHOLAR
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