Interstitial Ti for intermediate band formation in Ti-supersaturated silicon

  1. Pastor, D.
  2. Olea, J.
  3. Muñoz-Martín, A.
  4. Climent-Font, A.
  5. Mártil, I.
  6. González-Díaz, G.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2012

Volum: 112

Número: 11

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.4768274 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible