Electrical properties of high-pressure reactive sputtered thin hafnium oxide high-k gate dielectrics

  1. Duẽas, S.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Gómez, A.
  5. Bailón, L.
  6. Toledano-Luque, M.
  7. Mártil, I.
  8. González-Díaz, G.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Argitalpen urtea: 2007

Alea: 22

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 1344-1351

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0268-1242/22/12/019 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus