A comparative study of the electrical properties of TiO2 films grown by high-pressure reactive sputtering and atomic layer deposition

  1. Duẽas, S.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Andrés, E.S.
  5. Toledano-Luque, M.
  6. Mártil, I.
  7. González-Díaz, G.
  8. Kukli, K.
  9. Uustare, T.
  10. Aarik, J.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2005

Volumen: 20

Número: 10

Páginas: 1044-1051

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/20/10/011 GOOGLE SCHOLAR
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