C-V, DLTS and conductance transient characterization of SiNx: H/InP interface improved by N2 remote plasma cleaning of the InP surface

  1. Castán, H.
  2. Dueñas, S.
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  6. González-Díaz, G.
Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN: 0957-4522

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 12

Nummer: 4-6

Seiten: 263-267

Art: Artikel

DOI: 10.1023/A:1011219622378 GOOGLE SCHOLAR
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