Electrical characterization of electron cyclotron resonance deposited silicon nitride dual layer for enhanced AI/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures fabrication
- Peláez, R.
- Castán, E.
- Dueñas, S.
- Barbolla, J.
- Redondo, E.
- Mártil, I.
- González-Díaz, G.
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 1999
Ausgabe: 86
Nummer: 12
Seiten: 6924-6930
Art: Artikel