Electrical characterization of electron cyclotron resonance deposited silicon nitride dual layer for enhanced AI/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures fabrication

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 86

Nummer: 12

Seiten: 6924-6930

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.371774 GOOGLE SCHOLAR