Electrical characterization of deep levels existing in Mg-Si- and Mg-P-Si-implanted p+n InP junctions

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 1998

Volumen: 13

Número: 4

Páginas: 389-393

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/13/4/006 GOOGLE SCHOLAR
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