Deep levels in p+-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP

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  6. Martín, J.M.
  7. González-Díaz, G.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1997

Ausgabe: 81

Nummer: 7

Seiten: 3143-3150

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.364348 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus