Thermal Assessment of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si Substrate Using Gd2O3 as Gate Dielectric

  1. Gao, Z.
  2. Romero, M.F.
  3. Pampillón, M.A.
  4. San Andrés, E.
  5. Calle, F.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2016

Alea: 63

Zenbakia: 7

Orrialdeak: 2729-2734

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2016.2564301 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus