Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs using Gd2O3 as gate dielectric

  1. Gao, Z.
  2. Romero, M.F.
  3. Pampillon, M.A.
  4. San Andres, E.
  5. Calle, F.
Actas:
Proceedings of the 2015 10th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2015

ISBN: 9781479981083

Año de publicación: 2015

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/CDE.2015.7087508 GOOGLE SCHOLAR
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