Advanced electrical characterization toward (sub) 1nm EOT HfSiON - Hole trapping in PFET and L-dependent effects

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Actas:
Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology

ISSN: 0743-1562

Año de publicación: 2007

Páginas: 32-33

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/VLSIT.2007.4339715 GOOGLE SCHOLAR
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