NBTI study on PMOS devices with TiN/HfO2 gate stack and process induced strain

  1. Shickova, A.
  2. Verheyen, P.
  3. Eneman, G.
  4. San Andres, E.
  5. Absil, P.
  6. Kaczer, B.
  7. Groeseneken, G.
Actas:
ECS Transactions

ISSN: 1938-5862,  1938-6737

Año de publicación: 2006

Volumen: 3

Número: 2

Páginas: 253-261

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1149/1.2356285 GOOGLE SCHOLAR
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