Estudio por microscopia electronica de transmision del sistema heteroepitaxial gaas sobre si(001)efecto del dopado y la temperatura sobre la estructura de defectos

Resumo

En la presente memoria de tesis doctoral, se estudia por microscopia electronica de transmision la estructura de defectos en capas epitaxiales de gaas crecidas por atomic layer molecular beam epitaxy (almbe) a 350 grados c. Sobre sustratos de si(001). El efecto del dopado se investiga en capas epitaxiales de gaas dopadas tipo n y tipo p y el de la temperatura en capas epitaxiales de gaas crecidas con tratamientos termicos. Se encuentra que la estructura de defectos caracteristica en capas epitaxiales de gaas consiste en defectos planares (fallos de apilamiento y micromaclas) que presentan una distribucion asimetrica. Esta estructura de defectos se puede explicar desarrollando un modelo que tiene en cuenta la secuencia y las movilidades de las dislocaciones parciales de polaridad alfa y beta en funcion del signo de la tension reticular. Asi, los defectos planares provienen de la disociacion de dislocaciones threading beta y dislocaciones threading alfa para capas epitaxiales de gaas dopadas tipo n y dopadas tipo p, respectivamente. Por el contrario, la disociacion de dislocaciones threading alfa y beta no ocurre para capas epitaxiales de gaas crecidas con tratamientos termicos. Del estudio llevado a cabo se encuentra que la diferencia entre las movilidades de las dislocaciones parciales es un factor que esta relacionado con la aparicion de los defectos planares y llega a ser mas importante cuando la temperatura de crecimiento disminuye.